比特派冷钱包 清华大学成就超高速光电缱绻芯片:“挣脱”摩尔定律,算力提高 3000 倍

发布日期:2023-12-05 22:52    点击次数:194

比特派冷钱包 清华大学成就超高速光电缱绻芯片:“挣脱”摩尔定律,算力提高 3000 倍

IT之家 10 月 30 日音尘,据清华新闻网报谈,清华大学自动化系戴琼海院士、吴嘉敏助走漏释与电子工程系方璐副解释、乔飞副决策员聚首攻关,提议了一种“挣脱”摩尔定律的全新缱绻架构:光电模拟芯片比特派冷钱包,算力达到现在高性能商用芯片的 3000 余倍。

联系后果以“高速视觉任务中的纯模拟光电芯片”(All-analog photo-electronic chip for high-speed vision tasks)为题,以长文(article)姿色发表在《当然》(Nature)期刊上。

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报谈称,淌若用交通器具的运转手艺来类比芯片中信息流缱绻的手艺,那么这枚芯片的出现,特别于将京广高铁 8 小时的运转手艺裁减到 8 秒钟。

据先容,在这枚小小的芯片中,清华大学攻关团队创造性地提议了光电深度会通的缱绻框架。从最内容的物理旨趣启程,结合了基于电磁波空间传播的光缱绻,与基于基尔霍夫定律的纯模拟电子缱绻,“挣脱”传统芯片架构中数据调理速率、精度与功耗互相制约的物理瓶颈,在一枚芯片上冲破大范围缱绻单元集成、高效非线性、高速光电接口三个海外贫苦。

实测进展下,光电会通芯片的系统级算力较现存的高性能芯片架构提高了数千倍。在研发团队演示的智能视觉任务和交通场景缱绻中,光电会通芯片的系统级能效(单元能量可进行的运算数)实测达到了 74.8 Peta-OPS / W,是现存高性能芯片的 400 万余倍。形象地说,正本供现存芯片使命一小时的电量,可供它使命 500 多年。

更进一步,该芯片光学部分的加工最小线宽仅罗致百纳米级,而电路部分仅罗致 180nm CMOS 工艺,已赢得比 7 纳米制程的高性能芯片多个数目级的性能提高。与此同期,其所使用的材料绵薄易得,造价仅为后者的几十分之一。

清华大学戴琼海院士、方璐副解释、乔飞副决策员、吴嘉敏助走漏释为该文的共同通信作家,博士生陈一彤、博士生麦麦提・那扎买提、许晗博士为共同第一作家,孟瑶博士、周天贶助理决策员、博士生李广普、范静涛决策员、魏琦副决策员共同参与决策。该课题得到科技部 2030“新一代东谈主工智能”紧要姿色、国度当然科学基金委基础科学中心姿色等的复古。

IT之家附论文归拢:

https://doi.org/10.1038/s41586-023-06558-8

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